存储巨头美光拉开半导体二季报帷幕。美光本季度按财年时间是FY26Q3，按实际时间对应2026年3-5月。
美光FY26Q3财报：
营收 414.6 亿美元，同比增长 346% ，环比增长 74% ，远超市场一致预期的354.3亿美元 ；预计FY26Q4营收 500 亿美元，同比增长 342% ，环比增长21% ；
GAAP毛利率 84.6% ，同比提升46.9个百分点，环比提升10.2个百分点； 预计FY26Q4毛利率 86% ，环比提升1.4个百分点 ；
GAAP净利润 282.4 亿美元，同比增长 1398% ，环比增长 75% ，远超市场一致预期的236.6亿美元；NonGAAP净利润 288.6 亿美元，同比增长 1223% ，环比增长 106% ，远超市场一致预期的234.2亿美元；预计FY26Q4 GAAP净利润 351.9 亿美元，同比增长999%，环比增长 25% ，NonGAAP净利润 355 亿美元，同比增长923%，环比增长 23% ；
最新净资产 1007.2 亿美元； 从2026年12月9日，也就是CHIPS协议最终签署两周年之日起，计划增加资本回报；随着时间推移预计将把 100%的超额现金返还给股东 ；
分业务：
DRAM营收313.3亿美元 ，同比增长343% ，连续11个季度增长， 环比增长 67% ，营收占比 76% ； DRAM bit 出货量环比低个位数增长 ， ASP环比增长low-60%s ；
NAND营收99.4亿美元 ，同比增长361%， 连续3个季度增长 ，环比增长 99% ，营收占比 24% ； NAND bit出货量环比中个位数增长 ， ASP环比增长mid-80%s ；
可见无论是DRAM还是NAND， 并不是靠出货量增长 ， 主要靠涨价 ，而相比之下 NAND的出货量增速与ASP增速都高于DRAM 。
分市场：
以云计算客户DRAM、整体数据中心HBM 为代表的 CMBU 业务营收137.7亿美元，同比增长307%，环比增长 78% ，经营利润率 78% ，环比提升 12 个百分点。
以 OEM客户数据中心DRAM 、整体数据中心NAND 为代表的 CDBU 业务营收115.2亿美元，同比增长653%，环比增长 103% ，经营利润率 83% ，环比提升 16 个百分点。
以手机/PC DRAM、NAND 为代表的 MCBU 业务营收115.2亿美元，同比增长254%，环比增长 49% ，经营利润率 86% ，环比提升 10 个百分点， 连续2个季度领先数据中心业务利润率 。
以汽车/工业/消费DRAM、NAND 为代表的 AEBU 业务营收46.3亿美元，同比增长311%，环比增长 71% ，经营利润率 75% ，环比提升 13 个百分点。
这里值得注意的是， 非数据中心敞口 （手机、PC、工业、汽车） 营收合计占比 39% ， 经营利润占比40% ，这部分是纯靠涨价拉动，而非需求，属于周期拐点最先被冲击的业务。
本季度数据中心营收超250亿美元 ，年化run-rate营收超1000亿美元 ； 数据中心SSD营收超50亿美元 ，环比增长超一倍； 预计2026年服务器出货同比增长high-teens% （上调） ， 传统服务器增长mid-teens% ， AI服务器增长更强 ， 但平均服务器DRAM容量略有下降 （下调） ；在 NAND方面，AI context memory storage和HDD替代机会正在扩大SSD的TAM；
目前非HBM的利润率高于HBM利润率 ； 采用1-beta DRAM工艺的HBM4 12-High的量产爬坡速度是HBM3E 12-High的两倍， 目前已出货超10亿美元的HBM4收入（与三星一致）； 将HBM份额目标设定为接近DRAM份额不变，采用1-gamma DRAM工艺的HBM4E预计将在2027年量产；
尽管PC和智能手机行业出货量下降 ， 但存储营收反而预计将增长 ，反映出高端设备在各终端设备类别中以更高价格维持韧性需求；预计端侧AI的价值叠加被压抑的换机需求，将推动PC和智能手机中的存储需求增长；
在汽车领域ADAS仍是存储容量增长的驱动因素；今年L2+及以上车辆占比将增长一倍以上，超过20%，并预计到2030年超过 40% ，L2+及以上车辆其存储和存储器件内容量超过平均车辆的 5倍 ； 人形机器人所携带的存储量是平均L2+车辆的10倍 ，预计一个持续、重大、跨越数十年的存储需求周期将在本十年后期开始；
会议纪要重点：
预计2026年美光 DRAM bit出货同比增长low to mid-20%s （上调） ， NAND bit出货同比增长20% （不变） ；
预计DRAM、NAND 供不应求持续至 2027年以后 （上调） ， 2028年开始逐步缓解 ； 预计2026年NAND产能增长主要靠G9 QLC节点，以及在新加坡新建NAND Fab， 预计2028年下半年量产 （不变） ；DRAM产能增长主要靠扩产：力积电Fab交割后扩建支持EUV设备的洁净室， 预计2027年年中开始大量出货 （提前一个季度） ；爱达荷ID1预计 2027年年中DRAM量产 （不变） ， ID2预计2028年末量产 （新增） ；纽约州首个Fab集群1月已动工；日本Fab扩建洁净室进展顺利；新加坡HBM先进封装厂预计在 2027年上半年释放HBM产能 （提前） ； 可以看到 2027年将迎来众多DRAM/HBM产能释放 ，但NAND新增产能并不多；
预计FY26Q4 capex约为100亿美元， FY27 capex超400亿美元 （上调） ，其中FY27同比增加部分的一半以上来自建设洁净室产能； 与ASML签署了一项多年EUV供给协议，以支持在1-delta节点及未来几代产品中提高EUV采用率 ；capex也都主要集中在新建DRAM/HBM产能；
目前已签署 16份战略客户协议SCA （上季度仅一份） ， 包含数据中心、消费和汽车市场客户（4个超大客户+3个中等客户+一些汽车小客户） ；通常而言这些协议期限为 5年 ，从2026日历年持续到2030日历年末，汽车相关协议通常期限为3年；这16份已签署协议大约覆盖这一期间美光 20%的DRAM出货量和 1/3的NAND出货量 ；这些SCA采用take-or-pay结构，客户承诺在多年期限内购买特定数量的产品，并且具有具有约束力的承诺， 大协议对现有产品设有价格上限 ， 价格上限为当前2026日历年第二季度市场价格 ， 同时在协议期限内设有价格下限 ；已签署的16份SCA中14份按最低价格计算 RPO约1000亿美元 （本季度RPO超50亿美元） ，其中预计将收到 220亿美元现金保证金及相关财务承诺 （本季度收到4亿美元，下季度会收到100亿美元） ；未来公司收入中约 40% 会来自固定价格或带有接近当前高价上限的SCA协议； 即使在价格下限，预计毛利率将显著高于过去峰值毛利率（61%） ；
本季度DIO 120天，环比下降3天，其中DRAM DIO低于120天； 下季度毛利率展望反映出价格上涨速度将明显放缓；
总的来说，美光这份财报再次大超预期，去年年底曾提到“ 2026年将真正迎来美股AI半导体业绩爆发期 ， 2025 年的还只是开胃菜 。”现在看，确实如此。
近期存储股价表现持续一枝独秀，市场质疑周期的声音日渐浓厚。昔日供应链霸主苹果也终于忍不住了，开始全面涨价，供应链话语权攻守之势异也。尽管有很多人觉得苹果“骂街”是存储周期见顶标志，不过时代确实变了，AI时代的苹果也不是当年的苹果。
这次美光财报释放出16份细节丰富的长协，算是稳定市场的一份答卷。一方面市场担心周期不持久，这次长协覆盖到2030年末，且有下限价格保护以及履约约束、预付款等。另一方面市场担心存储涨价过猛导致下游需求崩塌，这次长协约束了价格上限就是今年Q2水平，不会再高。
尽管本人相信存储周期永远是周期，但个人认为短期存储内部DRAM与NAND分化会加剧： NAND短期可能优于DRAM 。
DRAM扩产产能过多且明牌在2027年集中释放，NAND扩产产能不多且产能释放时间表模糊可能在2028年之后；
美光这次长协中NAND占比高于DRAM（33% vs 20%）；
HBM反而成为最拖累毛利率的业务（价格早已锁定，良率低、挤占现在更值钱的“垃圾”DRAM产能过多），尤其是对HBM市场份额最高的SK海力士来说，反而NAND占比高的（闪迪、铠侠、三星、长存）业绩弹性会更大，本季度美光的NAND bit与ASP环比增速已经很说明问题；
被HBM严重“绑架”的SK海力士昨日被媒体报道有望自2018年以来首次对NAND扩产；
近期韩股由于两个存储大哥，上蹿下跳，全球科技股也受此影响，接下来就看美东7月10日SK海力士ADR挂牌美股会是什么样子。